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P+F接近傳感器ML100-55/95/103是代替限位開關(guān)等接觸式檢測(cè)方式，以無需接觸檢測(cè)對(duì)象進(jìn)行檢測(cè)為目的的傳感器的稱。能檢測(cè)對(duì)象的移動(dòng)信息和存在信息轉(zhuǎn)換為電氣信號(hào)。在換為電氣信號(hào)的檢測(cè)方式中，包括利用電磁感應(yīng)引起的檢測(cè)對(duì)象的金屬體中產(chǎn)生的渦電流的方式、捕測(cè)體的接近引起的電氣信號(hào)的容量變化的方式、利石和引導(dǎo)開關(guān)的方式。 在JIS規(guī)格中，根據(jù)IEC60947-5-2的非接觸式位置檢測(cè)用開關(guān)，制定了JIS規(guī)格（JIS C 8201-5-2低壓開關(guān)裝置及控制裝置、第5控制電路機(jī)器及開關(guān)元件、第2節(jié)接近開關(guān)）。在JIS的定義中，在傳感器中也能以非接觸方式檢測(cè)到物體的接近和附近檢測(cè)對(duì)象有無的產(chǎn)品稱為“接近開關(guān)”，由感應(yīng)型、靜電容量型、超聲波型、光電型、磁力型等構(gòu)成。在本技術(shù)指南中，將檢測(cè)金屬存在的感應(yīng)型接近傳感器、檢測(cè)金屬及非金屬物體存在的靜電容量型接近傳感器、利用磁力產(chǎn)生的直流磁場(chǎng)的開關(guān)定義為“接近傳感器”。

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通過外部磁場(chǎng)影響，檢測(cè)在導(dǎo)體表面產(chǎn)生的渦電流引起的磁性損耗。在檢測(cè)線圈內(nèi)使其產(chǎn)生交流磁場(chǎng)，并檢測(cè)體的金屬體產(chǎn)生的渦電流引起的阻抗變化進(jìn)行檢測(cè)的方式。

此外，作為另外一種方式，還包括檢測(cè)頻率相位成分的鋁檢測(cè)傳感器，和通過工作線圈僅檢測(cè)阻抗變化成分的全金屬傳感器。

在檢測(cè)體一側(cè)和傳感器一側(cè)的表面上，發(fā)生變壓器的狀態(tài)。

P+F接近傳感器其它的產(chǎn)品：

LD31/LV31/76a/115/136

LFL3-CK-U-PVC10

LGC-GSR1C-1XM2-NA L=10M

LLR04-1.6-0.5-QW1*4

LS610-DA-P/F2

M100/MV100-RT/76a/103/115

M100/MV100-RT/76a/95/103

M100/MV100-RT/76b/102/115

M12/MV12-F1/76B/82B/124/128

MB60-12GM50-E2

ML100-55/103/115

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