本公司主要經(jīng)營(yíng)：西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列，觸摸屏6AV，DP接頭，6XV總線電纜，通訊模塊6GK系列，SITOP電源6EP系列。變頻調(diào)速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及變頻調(diào)速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)保一年

IGBT模塊FZ900R16KF4西門子將推出一款SITOPPSU8600單相480W主電源模塊，擴(kuò)展了該系列的產(chǎn)品線。新產(chǎn)品集成了4路輸出，每路輸出的電流為5A，且每路輸出的電壓均可在電源運(yùn)行時(shí)手動(dòng)調(diào)節(jié)，或者通過軟件和控制器實(shí)行遠(yuǎn)程調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍為4V至28V，因此無(wú)需額外電源來支持5V或12V電壓的設(shè)備。通過使用CNX8600擴(kuò)展模塊，可擴(kuò)展到*36輸出，所有輸出均可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控。PSU8600可全面集成到TIAPortal工程平臺(tái)，因此有助于自動(dòng)化工程的快速實(shí)施。可以通過SitopManager軟件直接用計(jì)算機(jī)進(jìn)行參數(shù)設(shè)置和遠(yuǎn)程診斷。借助兩個(gè)集成的以太網(wǎng)/Profinet端口和OPCUA，用戶可獲取全面的診斷和維護(hù)信息，并在自動(dòng)化系統(tǒng)中直接對(duì)其進(jìn)行分析，從而快速定位故障，減少停機(jī)時(shí)間。。你可以阻斷或延遲診斷中斷OB，并通過SFC39-42重新釋放它。SM321-1CH20和SM321-1CH80模塊的技術(shù)參數(shù)是相同的。區(qū)別僅在SM321-1CH80可以應(yīng)用于更廣泛的環(huán)境條件。因此您無(wú)需更改硬件配置。

絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 是由 MOSFET 和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件 , 其輸入極為 MOSFET, 輸出極為 PNP 晶體管 , 因此 , 可以把其看作是 MOS 輸入的達(dá)林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn) , 既具有 MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單和快速的優(yōu)點(diǎn) , 又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點(diǎn) , 因而 , 在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
在中大功率的開關(guān)電源裝置中 ,IGBT 由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率較高、容量較大的特點(diǎn) , 已逐步取代晶閘管或 GTO 。但是在開關(guān)電源裝置中 , 由于它工作在高頻與高電壓、大電流的條件下 , 使得它容易損壞 , 另外 , 電源作為系統(tǒng)的前級(jí) , 由于受電網(wǎng)波動(dòng)、雷擊等原因的影響使得它所承受的應(yīng)力更大 , 故 IGBT 的可靠性直接關(guān)系到電源的可靠性。因而 , 在選擇 IGBT 時(shí)除了要作降額考慮外 , 對(duì) IGBT 的保護(hù)設(shè)計(jì)也是電源設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)考慮的一個(gè)環(huán)節(jié)。

IGBT：
1、可以等效為（或理解為）：場(chǎng)效應(yīng)管與大功率三極管組成的復(fù)合管。
2、特性類似于場(chǎng)效應(yīng)管。輸入阻抗非常高，輸出阻抗低，驅(qū)動(dòng)功率非常小，主要是結(jié)電容引起的驅(qū)動(dòng)電流、放大倍數(shù)高。
3、開關(guān)頻率較高，耐壓高、通流能力強(qiáng)（額定電流大）。
4、主要用于：變頻器（逆變）、電磁爐，中、大功率逆變、氬弧焊機(jī)等、高頻電源

IGBT模塊FD300R12KE3
IGBT模塊CM400HA-24A
IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1
IGBT模塊6SY7000-0AC37
IGBT模塊FZ1200R12KF5
IGBT模塊6SY7000-0AC77
IGBT模塊FF150R12KE3G
IGBT模塊1MBI300SA-120B-52
IGBT模塊1MBI200SA-120B-52
IGBT模塊SKIIP 11NAB063T42
IGBT模塊FF200R12KE3
IGBT模塊BSM25GP120
IGBT模塊FZ1000R12KF5
IGBT模塊6SY7000-0AC80
IGBT模塊6SY7000-0AD33
IGBT模塊FZ1000R16KF4
IGBT模塊6SY7000-0AD04
IGBT模塊6SY7000-0AC85
IGBT模塊SKM200GB128D
IGBT模塊FZ2400R17KE3

IGBT模塊FZ900R16KF4不需要，如果是MLFB為6ES7321-1BH02-0AA0的SM321模塊，就不再需要連接DC24V了。見圖：這意味著對(duì)于*個(gè)通道，需要： 輸出電壓通過針腳3和針腳6連接到執(zhí)行器。 23：錯(cuò)誤OB的用途是什么？?如果發(fā)生一個(gè)所描述的錯(cuò)誤(見文件1)，則將調(diào)用并處理相應(yīng)OB。

IGBT 的等效電路如圖 1 所示。由圖 1 可知 , 若在 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓 , 則 MOSFET 導(dǎo)通 , 這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通 ; 若 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為 0V, 則 MOSFET 截止 , 切斷 PNP 晶體管基極電流的供給 , 使得晶體管截止
由此可知 ,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定：
—— IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓 ;

如果 IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓 , 即驅(qū)動(dòng)電壓過低 , 則 IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作 , 如果過高過柵極－發(fā)射極之間的耐壓則 IGBT 可能*性損壞 ; 同樣 , 如果加在 IGBT 集電極與發(fā)射極允許的電壓過集電極－發(fā)射極之間的耐壓 , 流過 IGBT 集電極－發(fā)射極的電流過集電極－發(fā)射極允許的*電流 ,IGBT 的結(jié)溫過其結(jié)溫的允許值 ,IGBT 都可能會(huì)*性損壞。

IGBT模塊FZ900R16KF4步驟： 保存ARRAY數(shù)據(jù)類型 示例：ARRAY[1..2,1..3]OF整數(shù)將生成下列域： 多維域是按照順序保存的。

2  保護(hù)措施
在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí) , 應(yīng)針對(duì)影響 IGBT 可靠性的因素 , 有的放矢地采取相應(yīng)的保護(hù)措施。
2 ． 1 IGBT 柵極的保護(hù)
IGBT 的柵極－發(fā)射極驅(qū)動(dòng)電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會(huì)損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發(fā)射極間開路 , 而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極－發(fā)射極有電流流過。這時(shí)若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時(shí) , 可能會(huì)使 IGBT 發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運(yùn)輸或振動(dòng)過程中使得柵極回路斷開 , 在不被察覺的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會(huì)損壞。為防止此類情況發(fā)生 , 應(yīng)在 IGBT 的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復(fù)合體 , 特別是其柵極為 MOS 結(jié)構(gòu) , 因此除了上述應(yīng)有的保護(hù)之外 , 就像其他 MOS 結(jié)構(gòu)器件一樣 ,IGBT 對(duì)于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對(duì) IGBT 進(jìn)行裝配焊接作業(yè)時(shí)也必須注意以下事項(xiàng)：

2  集電極與發(fā)射極間的過壓保護(hù)
過電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況 , 一種是施加到 IGBT 集電極－發(fā)射極間的直流電壓過高 , 另一種為集電極－發(fā)射極上的浪涌電壓過高。
2.2.1  直流過電壓
直流過壓產(chǎn)生的原因是由于輸入交流電源或 IGBT 的前一級(jí)輸入發(fā)生異常所致。解決的辦法是在選取 IGBT 時(shí) , 進(jìn)行降額設(shè)計(jì) ; 另外 , 可在檢測(cè)出這一過壓時(shí)分?jǐn)?IGBT 的輸入 , 保證 IGBT 的安全。
2.2.2  浪涌電壓的保護(hù)
因?yàn)殡娐分蟹植茧姼械拇嬖?/FONT> , 加之 IGBT 的開關(guān)速度較高 , 當(dāng) IGBT 關(guān)斷時(shí)及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆向恢復(fù)時(shí) , 就會(huì)產(chǎn)生很大的浪涌電壓 Ldi/dt, 威脅 IGBT 的安全。